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厂商型号

BCW30 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SOT-23 PNP GP AMP

内部编号

3-BCW30

#1

数量:8950
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:8950
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:25945
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BCW30产品详细规格

文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 32V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 215 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 350mW
频率转换 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.5
最小直流电流增益 215@2mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大功率耗散 350
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 32
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 500µA, 10mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 32V
供应商设备封装 SOT-23
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 215 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.5 A
集电极 - 发射极电压 32 V
发射极 - 基极电压 5 V
功率耗散 0.35 W
安装 Surface Mount
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
元件数 1
直流电流增益(最小值) 215
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 PNP
集电极电流(DC ) 0.5 A
直流电流增益 215

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